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徐州经济技术开发区签约9个集成电路类重大项目 总投资达160余亿元

admin1年前 (2024-09-24)徐州产业信息57

  近年大陆积极推动半导体产业发展,除了大力扶持本土业者、打造产业链之外,并争取海外半导体厂商投入。昨(25)日有消息传出,台湾地区上市公司强茂在江苏省徐州市投资10亿元人民币(下同),准备建设封装

  有媒体报导,在本月12日举行的「推动徐州高质量发展恳谈会」上,徐州经济技术开发区共签约9个重大项目,其中6个为重大实体经济项目,总投资达160余亿元。项目中,包括了中国科学院碳化硅产业一体化项目,以及与台湾强茂集团半导体封装测试生产基地项目两大集成电路类项目。

  其中,中科院碳化硅产业一体化项目总投资为20亿元,主要产品为碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOS晶体管等功率器件。台湾强茂集团半导体封装测试生产基地项目主要为从事二极管、三极管封装、IGBT封装、集成电路封装、碳化硅封装、高压贴片电容器等,总投资10亿元,在当地打造半导体封装测试生产基地。

  报导称,对于徐州经济技术开发区而言,集成电路及ICT已经成为该区最具爆发力的产业,包括台湾正崴高端手机供应链、鑫华半导体级多晶圆、协鑫大尺寸晶圆、中科院微电子所徐州半导体创新中心、华进半导体等均集聚于此。

  如今,装备与智慧制造、新能源、集成电路与ICT、医药医疗与健康四大产业已成为徐州的招商引资重点。对于集成电路产业,徐州已形成以经济技术开发区、高新区和邳州市为代表的集成电路产业聚集地,希望藉此在苏北地区打造出具有竞争力的半导体基地。

  2021年7月2日,第三届“张江康桥杯”长三角集成电路技能大赛核“芯”人才交流日活动顺利举办。

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  Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案取代硅IGBT,现已提供1700V版本

  1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的....

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  人工智能视觉芯片初创公司爱芯科技亮相“2021中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会”(简称ICD....

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  高科技时代的电子产品在我们日常生活中占有重要的地位,而电子产品最主要的核心就是芯片,那么国内芯片上市....

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  74LS08是74XXYY系列集成电路芯片之一,有四个AND门,每个门带有两个输入,是2输入四正与门....

  近日,东莞市天域半导体科技有限公司(简称“天域”)发生工商变更,新增股东华为关联投资机构深圳哈勃科技....

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  Digi-Key 日前宣布主办 FastBond 工程大赛,这是一场推动工程创新的全新设计大赛,举办....

  腾讯云、阿里、云曙光、澜起科技等大数据企业已确认参展,积极助推数字经济发展,推动大数据、智能化服务广....

  2018年,全球半导体产业呈良好发展趋向。数据显示,2018年全球集成电路市场全年总销售额约4784亿美元,同比增速超过10%。此外,近...

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  Dukosi Limited采用Scienlab 测试解决方案开发电池管理集成电路

  2021年6月28日,北京――是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布,该公司已被电池管理技术供应....

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  74ls20是常用的双4输入与非门集成电路,常用在各种数字电路和单片机系统中,他的cmos版本是74....

  ICDIA 2021议程重磅发布:首届中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会即将盛大召开

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  石头城下涛声怒。来到南京,总在第一时间被激发出怀古幽情。作为中国东部地区重要的中心城市,南京近年来正....

  74ls20是常用的双4输入与非门集成电路,常用在各种数字电路和单片机系统中,

  摘要:半导体是电阻率 (p) 和电导率介于导体和绝缘体之间的元素或元素组合。导体的电阻率在 10-8 和10-12 Q cm之间:绝缘体 109...

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  6月28日,在中国汽车产业发展高峰论坛上,华为技术有限公司华为智能汽车解决方案BUMarketing....

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  来源:文章转载自《科技导报》,作者:王阳元,谢谢。 日前,一条#院士说不解决卡脖子问题死不瞑目#的话....

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  一家公司的股东榜,可折射出它实力的大小。 有这么一家正在冲刺科创板IPO的集成电路公司,股东榜中云集....

  基于Virtex-5 RocketI0TM GTP收发器实现串行高速接口的开发应用

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  6月23日上午,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产,将打造国内首条、全球第三条....

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  据公开数据显示,由于在全球半导体严重短缺的情况下,中国全力生产芯片,中国 5 月份的集成电路 (IC....

  近期,上海橙科微电子科技有限公司作为临港打造临港国际创新协同区域所吸引的优秀集成电路领域企业,应邀参....

  02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

葛毅明微信号
产业招商/厂房土地租售:400 0123 021
或微信/手机:13391219793 
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55亿元重磅签约!光伏电池生产项目落户睢宁

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  7月25日上午,由太一光伏科技(常州)有限公司投资建设的徐州空港太一光伏电池生产项目签约仪式举行。   据了解,项目总投资55亿元,其中,一期建设5GW TOPCon光伏电池,建设周期为两年,二期建设5GW高效异质结光伏电池。项目一期竣工达产后,年可产5GW TOPCon光伏电池,年实现销售收入50亿元,纳税1亿元,带动就业500人。   202...

“一主、两轴、四区、五副”徐州在建13个新城

“一主、两轴、四区、五副”徐州在建13个新城

  根据徐州市自然资源和规划局发布的《徐州国土空间总体规划(2021-2035年)》,在市辖区构建了“一主两翼、三带四组团”的空间结构。   这样的构建骨架,徐州不断有新城拔地而起!   徐州“东扩南进,西延北造”的发展趋势不断扩大,新城建设在提速,目前徐州在建13个新城。   号称“徐州外滩”的大郭庄板块建设进展如何?2022年4...

【徐州】总投资38亿 丰县开发区6个重大项目集中签约

【徐州】总投资38亿 丰县开发区6个重大项目集中签约

  11月26日,第二届中国江苏丰县粤港澳大湾区投资暨智能设备产业招商推介会成功举办,丰县开发区6个重大项目总投资38亿元集中签约。   据悉,六个项目分别是新能源车辆及智能电动工具生产项目、新能源车辆制造项目、智能设备及配件生产项目、液晶显示屏生产项目、锂电池pack生产项目、新能源锂电池生产项目。项目涵盖新能源车辆、电动工具、电子通信、测试仪器、液晶显示等智能设备...

【项目信息】徐州经济技术开发区与台湾正崴集团举行项目签约仪式

【项目信息】徐州经济技术开发区与台湾正崴集团举行项目签约仪式

  张国华、周铁根和郭台强等领导嘉宾出席徐州经济技术开发区和台湾正崴集团项目签约仪式。   7月25日下午,徐州经济技术开发区与台湾正崴集团高端手机供应链项目举行签约仪式,这是徐州市加强对台合作的重要成果。徐州市委书记张国华、台湾正崴集团董事长郭台强分别致辞,徐州市长周铁根主持,市委常委、秘书长吴新福,市委常委、徐州经济技术开发区党工委书记王强,副市长徐东海,徐州经济...

交通银行徐州分行与徐州经开区签署全面战略合作协议

交通银行徐州分行与徐州经开区签署全面战略合作协议

  日前,徐州经开区与交通银行徐州分行签署全面战略合作协议,进一步深化合作、互利共赢,推动经开区产业金融创新发展、提升金融服务实体经济能级。经开区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏,交通银行江苏省分行副行长李骏出席签约仪式,经开区党工委委员、管委会副主任李欣主持。   交通银行是百年民族金融品牌的传承者、金融改革创新的先行者。交行江苏省分行作为交行系统...

人事综合

人事综合

  徐州市桃园路小学党支部与金山桥街道机关党支部共驻共建劳动教育基地签约仪式   2020年徐州经济技术开发区赴高校公开招聘教师面试公告(南京师范大学站)   2020年徐州经开区管委会赴高校公开招聘教师笔试成绩查询(11月20日)   关于评选表彰2018年度优秀教育工作者、优秀班主任、师德先进个人、优秀代课教师的通知...

全力擦亮徐州“西大门”

全力擦亮徐州“西大门”

  居城之西而逢四省交汇处,再加上全国开发区中独一无二的生态环境,泉山经济开发区从省级开发区被批准设置之日起就注定了它的不平凡。   果不其然,短短五年,泉山经济开发区一张蓝图绘到底,心无旁骛抓发展,敢于担当破难题,不断迸发出勃勃生机和腾飞发展。   2017年6月,随着我市淮海经济区中心城市地位的确立,泉山经济开发区有了更强的发展平台、更清的发展方...

北青(江苏)环境装备有限公司五险!包吃包住!年终奖+带薪年假+年底双薪!

北青(江苏)环境装备有限公司五险!包吃包住!年终奖+带薪年假+年底双薪!

  北青(江苏)环境装备有限公司,是国家重点高新技术企业的指定产品供应商。公司主营业务面向石油化工行业安全,节能,环保三大区块,是目前国内储运罐区VOCs源头治理综合解决装备的专业技术制造商。在国家充分重视环保前提下,北青环境凭借自己的专有技术在短时间之内快速发展,拥有独立的生产基地,是集研发、生产、销售于一体的综合型企业。公司注重技术开发和产品研发,在技术研发与生产环节投入大量资金,...